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La mémoire flash a révolutionné le stockage des données à l'ère numérique, en offrant des solutions de stockage non volatile à grande vitesse pour une large gamme d'appareils électroniques.Il s'agit d'un type de mémoire non volatile qui peut être effacée et reprogrammée électriquement, ce qui la rend idéale pour les applications nécessitant des opérations de lecture/écriture fréquentes.
Statut du produit
Largeur Min 3.9 mm 4 mm 5.25 mm 5.4 mm 8 mm 11.5 mm 12.57 mm 13.9 mm 14.05 mm Max 3.9 mm 4 mm 5.25 mm 5.4 mm 8 mm 11.5 mm 12.57 mm 13.9 mm 14.05 mm
Longueur Min 4.9 mm 5 mm 5.26 mm 5.4 mm 6 mm 11.51 mm 13.97 mm 14 mm 42 mm Max 4.9 mm 5 mm 5.26 mm 5.4 mm 6 mm 11.51 mm 13.97 mm 14 mm 42 mm
Type de montage
Type de boîtier
Hauteur Min 0.38 mm 0.8 mm 1.5 mm 1.9 mm 2.16 mm 2.79 mm 2.8 mm 3.8 mm Max 0.38 mm 0.8 mm 1.5 mm 1.9 mm 2.16 mm 2.79 mm 2.8 mm 3.8 mm
Interfaces
Température de fonctionnement, max. Min 70 °C 85 °C 105 °C Max 70 °C 85 °C 105 °C
Broches Min 8 32 Max 8 32
Courant d'alimentation Min 5 mA 10 mA 15 mA 20 mA 25 mA 30 mA Max 5 mA 10 mA 15 mA 20 mA 25 mA 30 mA
Emballage
Organisation Min 128 k x 8 Bit 16 M x 1 Bit 1 M x 8 Bit 256 k x 8 Bit 2 M x 8 Bit 512 k x 8 Bit Max 128 k x 8 Bit 16 M x 1 Bit 1 M x 8 Bit 256 k x 8 Bit 2 M x 8 Bit 512 k x 8 Bit
Taille de la page Min 8 B 256 B Max 8 B 256 B
Taille mémoire Min 1 MB 2 MB 4 MB 8 MB 16 MB 32 MB 64 MB Max 1 MB 2 MB 4 MB 8 MB 16 MB 32 MB 64 MB
Température de fonctionnement, min. Min -40 °C 0 °C Max -40 °C 0 °C
Température de refusion, maxi. Min 245 °C 260 °C 300 °C Max 245 °C 260 °C 300 °C
Temps d'accès Min 8 ns 55 ns 70 ns Max 8 ns 55 ns 70 ns
Temps de programmation Min 1,5 ms/page 10 us/octet 14 us/octet 20 us/octet 7 us/Byte Max 1,5 ms/page 10 us/octet 14 us/octet 20 us/octet 7 us/Byte
Temps effacement puce Min 35 ms 50 ms 70 ms Max 35 ms 50 ms 70 ms
Tension d'alimentation, max. Min 3.6 V 5.5 V Max 3.6 V 5.5 V
Tension d'alimentation, min. Min 2.3 V 2.7 V 4.5 V Max 2.3 V 2.7 V 4.5 V
Type de temporisation